ВКЛ / ВЫКЛ: ИЗОБРАЖЕНИЯ: ШРИФТ: A A A ФОН: Ц Ц Ц Ц

ИНФОФИЗ - мой мир...

Весь мир в твоих руках - все будет так, как ты захочешь

ИНФОФИЗ - мой мир...

Весь мир в твоих руках - все будет так, как ты захочешь

МЕНЮ

Как сказал...

Неуважение к предкам есть первый признак безнравственности. А.С.Пушкин

Вопросы к экзамену

Учебной дисциплины ФИЗИКА (смотреть)

Для групп АМ-11, СЗ-11, А-11 специальности:

190631 «Техническое обслуживание и ремонт автомобильного транспорта»

270802 «Строительство и эксплуатация зданий и сооружений»

270101 «Архитектура»

Список лекций по физике за 1,2 семестр

ЖЕЛАЮ УДАЧИ!

Тестирование

   В современной электронной технике полупроводниковые приборы играют исключительную роль. За последние три десятилетия они почти полностью вытеснили электровакуумные приборы. В любом полупроводниковом приборе имеется один или несколько электронно-дырочных переходов.

   Электронно-дырочный переход (или n–p-переход)это граница соприкосновения  двух полупроводников с разными типами проводимости.

   В полупроводнике n-типа основными носителями свободного заряда являются электроны; их концентрация значительно превышает концентрацию дырок (nn >> np). В полупроводнике p-типа основными носителями являются дырки (np >> nn). При контакте двух полупроводников n- и p-типов начинается процесс диффузии: дырки из p-области переходят в n-область, а электроны, наоборот, из n-области в p-область. В результате в n-области вблизи зоны контакта уменьшается концентрация электронов и возникает положительно заряженный слой. В p-области уменьшается концентрация дырок и возникает отрицательно заряженный слой. Таким образом, на границе полупроводников образуется двойной электрический слой, электрическое поле которого препятствует процессу диффузии электронов и дырок навстречу друг другу.


   Запирающий слой – это пограничная область раздела полупроводников с разными типами проводимости.

   Запирающий слой обычно достигает толщины порядка десятков и сотен межатомных расстояний. Объемные заряды этого слоя создают между p- и n-областями запирающее напряжение Uз, приблизительно равное 0,35 В для германиевых np-переходов и 0,6 В для кремниевых.

   np-переход обладает свойством односторонней проводимости.

   Если полупроводник с np-переходом подключен к источнику тока так, что положительный полюс источника соединен с n-областью, а отрицательный – с p-областью, то напряженность поля в запирающем слое возрастает. Дырки в p-области и электроны в n-области будут смещаться от np-перехода, увеличивая тем самым концентрации неосновных носителей в запирающем слое. Ток через np-переход практически не идет. Напряжение, поданное на np-переход в этом случае называют обратным. Весьма незначительный обратный ток обусловлен только собственной проводимостью полупроводниковых материалов, то есть наличием небольшой концентрации свободных электронов в p-области и дырок в n-области.

   Если np-переход соединить с источником так, чтобы положительный полюс источника был соединен с p-областью, а отрицательный с n-областью, то напряженность электрического поля в запирающем слое будет уменьшаться, что облегчает переход основных носителей через контактный слой. Дырки из p-области и электроны из n-области, двигаясь навстречу друг другу, будут пересекать np-переход, создавая ток в прямом направлении. Сила тока через np-переход в этом случае будет возрастать при увеличении напряжения источника.

Полупроводниковый диод.

   Способность np-перехода пропускать ток практически только в одном направлении используется в приборах, которые называются полупроводниковыми диодами.

   Полупроводниковыми диодами – называются полупроводниковые приборы  с одним  n–p-переходом.

   Полупроводниковые диоды изготавливаются из кристаллов кремния или германия. При их изготовлении в кристалл c каким-либо типом проводимости вплавляют примесь, обеспечивающую другой тип проводимости.

   Типичная вольт-амперная характеристика кремниевого диода приведена на рисунке.


Вольт-амперная характеристика кремниевого диода.
На графике использованы различные шкалы для положительных и отрицательных напряжений.

   Полупроводниковые диоды обладают многими преимуществами по сравнению с вакуумными диодами – малые размеры, длительный срок службы, механическая прочность. Существенным недостатком полупроводниковых диодов является зависимость их параметров от температуры. Кремниевые диоды, например, могут удовлетворительно работать только в диапозоне температур от  –70 °C до 80 °C. У германиевых диодов диапазон рабочих температур несколько шире.

   Полупроводниковые диоды используются в выпрямителях для преобразования переменного тока в постоянный.

Транзистор.

Транзисторами – называются полупроводниковые приборы  с двумя n–p-переходами.

   Обычно для создания транзисторов используют германий и кремний. Транзисторы бывают двух типов: pnp-транзисторы и npn-транзисторы.

   1. pnp-транзисторы. Германиевый транзистор pnp-типа представляет собой небольшую пластинку из германия с донорной примесью, то есть из полупроводника n-типа. В этой пластинке создаются две области с акцепторной примесью, то есть области с дырочной проводимостью.


Транзистор структуры pnp.

   Пластинку транзистора называют базой (Б), одну из областей с противоположным типом проводимости – коллектором (К), а вторую – эмиттером (Э). Обычно объем коллектора превышает объем эмиттера. В условных обозначениях разных структур стрелка эмиттера показывает направление тока через транзистор.

  1. npn-транзисторы. В транзисторе npn-типа основная германиевая пластинка обладает проводимостью p-типа, а созданные на ней две области – проводимостью n-типа.


Транзистор структуры npn.

   Оба np-перехода транзистора соединяются с двумя источниками тока. На рис. 5 показано включение в цепь транзистора pnp-структуры. Переход «эмиттер–база» включается в прямом (пропускном) направлении (цепь эмиттера), а переход «коллектор–база» – в запирающем направлении (цепь коллектора).

   Пока цепь эмиттера разомкнута, ток в цепи коллектора очень мал, так как для основных носителей свободного заряда – электронов в базе и дырок в коллекторе – переход заперт.

   При замыкании цепи эмиттера дырки – основные носители заряда в эмиттере – переходят из него в базу, создавая в этой цепи ток эмиттера Iэ. Но для дырок, попавших в базу из эмиттера, np-переход в цепи коллектора открыт. Большая часть дырок захватывается полем этого перехода и проникает в коллектор, создавая ток коллектора Iк. Для того, чтобы ток коллектора был практически равен току эмиттера, базу транзистора делают в виде очень тонкого слоя. При изменении тока в цепи эмиттера изменяется сила тока и в цепи коллектора.

   Если в цепь эмиттера включен источник переменного напряжения (рис. 5), то на резисторе R, включенном в цепь коллектора, также возникает переменное напряжение, амплитуда которого может во много раз превышать амплитуду входного сигнала. Следовательно, транзистор выполняет роль усилителя переменного напряжения.

   Однако, такая схема усилителя на транзисторе является неэффективной, так как в ней отсутствует усиление сигнала по току, и через источники входного сигнала протекает весь ток эмиттера Iэ. В реальных схемах усилителей на транзисторах источник переменного напряжения включают так, чтобы через него протекал только небольшой ток базы Iб = IэIк. Малые изменения тока базы вызывают значительные изменения тока коллектора. Усиление по току в таких схемах может составлять несколько сотен.

Применение полупроводниковых приборов.

   У полупроводников ярко выражена зависимость электропроводимости от тем­пературы: чем выше температура полупроводника, тем лучше он проводит ток. Приборы, основанные на этом эффекте, называются термосопротивлениями или термисторами. Термисторы нашли огромное применение в технике, медицине и сельском хозяйстве. Они используются для измерения температуры в различ­ных машинах и агрегатах, всюду, где необходимо поддерживать постоянную температуру и связанные с ней физические величины. С помощью термисторов определяют температуру почвы на различной глубине. Чувствительные термисторы можно вводить непосредственно в кровеносный сосуд. Чувствительность этих приборов настолько велика, что на их основе изготовляют приемники лучистой энергии, называемые болометрами.

   В настоящее время полупроводниковые приборы находят широкое применение в радиоэлектронике, так как обла­дают рядом ценных качеств: большим сроком службы, малыми габаритами, высокой механической прочностью и незначительным потреблением энергии.

   Современная технология позволяет производить полупроводниковые приборы – диоды, транзисторы, полупроводниковые фотоприемники и т. д. – размером в несколько микрометров.

   Применение полупроводников совершило революцию в радиотехнике. Ра­диодетали стали настолько миниатюрными, что появилась возможность изго­товлять типографским способом так называемые микромодули. Микромодули представляют собой тонкие листики, на которых отпечатаны диоды, триоды, сопротивления, индукционные катушки и другие элементы радиосхем. Исполь­зуя различные комбинации микромодулей, можно изготовлять радиоустройства с заранее заданными параметрами.

   Качественно новым этапом электронной техники явилось развитие микроэлектроники, которая занимается разработкой интегральных микросхем и принципов их применения.

   Интегральной микросхемой называют совокупность большого числа взаимосвязанных элементов – сверхмалых диодов, транзисторов, конденсаторов, резисторов, соединительных проводов, изготовленных в едином технологическом процессе на одном кристалле.

   Микросхема размером в 1 см2 может содержать несколько сотен тысяч микроэлементов.

   Применение микросхем привело к революционным изменениям во многих областях современной электронной техники. Это особенно ярко проявилось в области электронной вычислительной техники. На смену громоздким ЭВМ, содержащим десятки тысяч электронных ламп и занимавшим целые здания, пришли персональные компьютеры.

   Полупроводники приобретают все большее значение, обогащая физику, химию, биологию и другие науки. Исследование полупроводников еще не завершено, и сегодня невозможно в полной мере пред­сказать развитие физики полупроводников

Яндекс.Метрика
© 2018. Dudko Elena | Infofiz.ru 2011-2018 All rights reserved Все права защищены. Дудко Елена. Все материалы взяты из открытых источников и представлены исключительно в ознакомительных целях, только на локальном компьютере. Все права на статьи, книги, видео и аудио материалы принадлежат их авторам и издательствам. Любое распространение и/или коммерческое использование без разрешения законных правообладателей не разрешается. .